碳化硅载盘，碳化硅刻蚀盘，ICP刻蚀盘

LED刻蚀用碳化硅托盘（SIC托盘）φ600mm是深硅刻蚀（ICP刻蚀机）专用的配件

晶圆载盘，也有称为晶圆承载盘、硅片承载盘,英文称为Pocket Wafer。在半导体的CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。我们可以为客户提供硅、碳化硅材料的定制晶圆载盘，以满足客户不同的应用需求。

可以提供带真空孔的承载盘、各种异形内槽的承载盘等。

碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。

►耐高温--1800℃温度下正常使用；

►高热导性--和石墨材料的导热性相当；

►硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼；

►耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀，抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝；

►重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近，；

►不变形--极小的热膨胀系数，

►抗热震--该材料可承受急剧的温度变化，抗热冲击，耐急冷急热,性能稳定。

碳化硅载盘，碳化硅刻蚀盘，ICP刻蚀盘

LED刻蚀用碳化硅托盘（SIC托盘）φ600mm是深硅刻蚀（ICP刻蚀机）专用的配件

晶圆载盘，也有称为晶圆承载盘、硅片承载盘,英文称为Pocket Wafer。在半导体的CVD、真空溅射等方面具有广泛应用。我们可以为客户提供硅、碳化硅材料的定制晶圆载盘，以满足客户不同的应用需求。

可以提供带真空孔的承载盘、各种异形内槽的承载盘等。

碳化硅陶瓷制品，采用高纯超细碳化硅微粉，经2450℃高温烧结而成，碳化硅含量在99.1%以上，制品密度≥3.10g/cm3,不含金属硅等金属杂质。

►耐高温--1800℃温度下正常使用；

►高热导性--和石墨材料的导热性相当；

►硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼；

►耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀，抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝；

►重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近，；

►不变形--极小的热膨胀系数，

►抗热震--该材料可承受急剧的温度变化，抗热冲击，耐急冷急热,性能稳定。