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浅谈离子注入后RTP应用

作者:admin 浏览量:555 来源:本站 时间:2021-10-22 18:34:33

信息摘要:

离子注入会将原子撞出出晶格结构而造成晶格损伤,必须通过足够高温度的热处理,才能具有电活性,并消除注入损伤RTP系统能够快速使晶圆温度上升或下降。一般清况下,RTP系统只需要不到10s的时间就能使晶圆达到所需的退火温度,即1000℃、1150℃之间。退火过程需要10s左右时间,接着关掉加热灯管并注入氮冷却气体后,晶圆将被

离子注入会将原子撞出出晶格结构而造成晶格损伤,必须通过足够高温度的热处理,才能具有电活性,并消除注入损伤


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RTP系统能够快速使晶圆温度上升或下降。一般清况下,RTP系统只需要不到10s的时间就能使晶圆达到所需的退火温度,即1000℃、1150℃之间。退火过程需要10s左右时间,接着关掉加热灯管并注入氮冷却气体后,晶圆将被快速冷却。温度上升得越快,掺杂物原子的扩散就越少。当元器件的关键尺寸小于0.1um时,升温速率可能必须高达250℃/s,才能在低掺杂物扩散的同时获得所需的退火要求。



离子注入后的RTP过程如下:
·晶圆进入
·温度急升,温度趋稳
·退火
·晶圆冷却
·晶圆退出
此时的温度上升速率为75℃/s~150℃/s,而退火温度大约为1100℃。在充满氮气和固定气流的环境下,整个工艺过程只需不到2min的时间就能完成。下图显示了RTP系统在离子注入后退火过程中的温度变化。

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