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浅谈快速退火炉控温

作者:admin 浏览量:589 来源:本站 时间:2021-10-22 18:20:25

信息摘要:

RTP的一个关键因素是温度的测量和控制。快速热退火(Rapid thermal processing,RTP)是将晶片快速加热到设定温度,进行短时间快速退火的方法,热处理时间通常小于1~2分钟。过去几年间,RTP已逐渐成为先进半导体制造必不可少的一项工艺,用于氧化、退火、金属硅化物的行程和快速热化学沉积。RTP系统采用辐射热源对晶片进行一

RTP的一个关键因素是温度的测量和控制。快速热退火(Rapid thermal processing,RTP)是将晶片快速加热到设定温度,进行短时间快速退火的方法,热处理时间通常小于1~2分钟。过去几年间,RTP已逐渐成为先进半导体制造必不可少的一项工艺,用于氧化、退火、金属硅化物的行程和快速热化学沉积。

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RTP系统采用辐射热源对晶片进行一片一片的加热,温度测量和控制通过高温计完成。
RTP可快速升至工艺要求的温度,并快速冷却,此外,RTP还可以出色地控制工艺气体。因此,RTP可以在一个工艺程序中完成复杂的多阶段热处理工艺。RTP快速升温、短时间快速处理的能力很重要,因为先进半导体制造要求尽可能缩短热处理时间、限制杂质扩散程度。
RTP系统中,热源直接面对晶片表面,而不是如批处理高温炉那样对硅片边缘进行加热。因此,RTP系统处理大直径晶片时不会影响工艺处理的均匀性和升(降)温速度。
然而,晶片表面的器件分布图形(pattern)会给温度带来一些影响和限制。因此RTP系统加热晶片时采用的是辐射性热源,温度会受到光学性质的影响。随着器件尺寸的不断微缩和对工艺处理均匀性的要求变得更加苛刻,如何优化加热结构,减少“图形效应”已成为一个重要的研究领域。目前解决“图形效应”的办法,包括减少晶片表面入射能量的双面加热方法,以及采用与晶片温度接近的热源对有图形的一面进行照射的方法。

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